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更新时间:2026-08-18
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半导体主要应用:静电卡盘 ESC、晶圆载台、探针台、特气 / 药液管路伴热、腔体恒温、气体加热、封装、光刻显影、真空设备、石英罐保温;重点关注低释气、控温均匀、快速热响应、洁净等级。
导热系数>170W/m・K,内置 K 型热电偶;晶圆载台、ESC 局部加热、封装、微型热台
WALN 系列(薄片氮化铝)
WALN‑5H、WALN‑8、WALN‑12(市面流通最多)
特点:5s 可达 400℃,热响应极快,低释气;方形薄片,小面积高精度加热,半导体设备零部件标配。
MTP 系列(氮化铝加热板,大尺寸)
MTP‑250、MTP‑300、MTP‑400、MTP‑500
大板面,用于小型晶圆载台、模块恒温,内置热电偶直出,配套坂口 SCR‑SHQ‑A 温控器使用。
MC0505 / MC0505H / MC1010H
最小 5×5mm,最高 500℃,高功率密度;探针台、微型元件热压、气体小腔加热;H 型号带过热保护,防止陶瓷炸裂,半导体设备大量采用。
超薄 0.1mm,真空环境低析出,刻蚀、CVD、PVD 设备静电卡盘背部全域加热;分交流 / 直流版本
PI‑A / PI‑B(AC 交流标准款):腔体、管路伴热,100‑240V,多片分区控温。
MPI 系列(DC 直流):DC28V,设备内部狭小空间,需要搭配 SCR‑SHQ‑A2 功率控制器。
半导体定制重点:无胶 PI 加热膜,消除胶水释气气泡,用于 ESC 静电卡盘背部加热,是半导体设备热门定制方案。
Samicon230:常规款,最高 230℃;普通管路、柜体保温。
Samicon420(SSAM 蚀刻无胶款)【半导体热销】
无胶硫化工艺,低释气,适配石英药液瓶、高纯化学品罐伴热;防止药液结晶,显影液、清洗液罐体恒温,半导体湿法设备大量使用,避免胶水析出污染晶圆。
MCA500‑N 常用
SUS316 护套,内置 K 型热电偶;加热氮气、干燥气体;半导体吹扫气、工艺气预热;最高 500℃,压力 0.3MPa,PT3/8 接口。
HI‑SD ROD(坂口自有):φ5‑φ16mm,腔体热板、小型模组加热,表面长期≤400℃,抗振动,半导体设备热板。
FIREROD®(代理 WATLOW):高功率密度,最高 760℃;晶圆烘烤固化炉、高温模具,可内置热电偶,多用于工艺炉体内部加热。
SCR‑SHQ‑A / SCR‑SHQ‑A2:相位调压,高速采样,控温精度 ±0.1℃,适配氮化铝、PI 膜;
SSR‑S20‑P‑EZ:单相 20A,小型腔体、微型陶瓷加热;
SSR‑T20‑P‑EZ:三相大功率,工艺炉体多区加热。
| 系列 | 代表型号 | 温度上限 | 核心半导体用途 | 关键特性 |
|---|---|---|---|---|
| 氮化铝 WALN | WALN‑12 | 400℃ | 晶圆载台、微型热台 | 毫秒级响应、内置 K 偶 |
| 氮化铝 MTP | MTP‑300 | 350℃ | 中小尺寸加热板 | 大板面,均温好 |
| 氧化铝陶瓷 MC | MC1010H | 500℃ | 探针台、点加热 | 极小尺寸,抗炸裂 |
| PI 聚酰亚胺 | PI‑A、MPI | 250℃ | ESC 背部、真空腔体 | 超薄、真空低释气 |
| 硅橡胶 SAMICON | Samicon420 | 250℃ | 石英罐、药液罐伴热 | 无胶硫化,低析出 |
| 气体加热 MCA | MCA500‑N | 500℃ | 工艺氮气预热 | SUS316,带热电偶 |
| 筒式 HI‑SD | HI‑SD φ8 | 400℃ | 腔体热板 | 抗振动、密封 |
半导体优先确认:低释气规格、洁净等级、是否内置热电偶、真空适配;很多型号为非标定制,标准现货少。
WALN、MTP、无胶 PI 膜大多为定制交期;Samicon230、MCA500‑N 有部分标准现货。
氮化铝加热器严禁直接大功率冲击启动,需要坂口 SCR 相位调压控制器,不可普通 SSR 过零触发。
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