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更新时间:2026-08-24
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原装现货供应:玉崎科学仪器(深圳)有限公司品牌负责人:林经理 地址:广东省深圳市龙华新区龙华街道 906 号电商集团 7 楼整层
结构:伺服电机直驱蝶板,无齿轮背隙,蝶阀式流道;内置绝对编码器,记忆阀位;‑B 型号带电磁抱闸,断电锁止开度,防止腔体压力骤变报废晶圆。
定位:半导体研发样机、中试线、等离子清洗、小型 PVD、检测腔体;兼顾光学镀膜、面板设备。
不适合:28nm 及以下先进制程大规模量产产线(颗粒管控等级低于 GAR)。
结构:闸板式流道,无金属摩擦滑动副,SEMI 低发尘标准,从源头减少颗粒产生,避免晶圆颗粒缺陷;伺服直驱 + 断电抱闸;全行程 0‑100% 开度连续可调,微小开度调节稳定性优异。
定位:成熟制程 & 先进制程量产线,等离子刻蚀、PVD 磁控溅射、CVD、ALD 原子层沉积、离子注入设备主压力调节阀;日系设备标配阀件。
型号后缀说明
J:JIS 法兰;I:ISO‑F;C:CF 刀口法兰;B:内置电磁抱闸断电锁阀。
| 项目 | BAR 系列 | GAR 系列(半导体量产) |
|---|---|---|
| 驱动 | 伺服电机直驱,无背隙 | 伺服电机直驱,闸板式无摩擦流道 |
| 开度范围 | 0‑90° 连续无级调节 | 0‑100% 全行程连续调节 |
| 泄漏率 | 内漏≤1×10⁻⁹Pa・m³/s;轴封外漏≤1×10⁻¹⁰Pa・m³/s | 内漏≤1×10⁻¹⁰Pa・m³/s;轴封外漏≤1×10⁻¹⁰Pa・m³/s |
| 压力区间 | 10⁵Pa ~ 10⁻⁶Pa | 10⁵Pa ~ 10⁻⁶Pa |
| 接触介质材质 | SUS304 电解抛光低放气 | SUS304 高纯电解抛光,低析出低发尘 |
| 密封件 | 标准 FKM;可选 Kalrez 全氟醚(抗等离子腐蚀) | 标准 FKM;Kalrez 适配刻蚀腐蚀性工艺气体 |
| 烘烤温度 | 阀体最高 120℃ | 阀体最高 150℃,CF 法兰版本支持烘烤除气 |
| 断电保护 | ‑B 型号电磁抱闸锁阀位 | ‑B 型号电磁抱闸锁止阀位,防止真空突变 |
| 信号接口 | 0‑10V/4‑20mA 模拟量,RS485 通讯 | 0‑10V/4‑20mA,RS485,对接上位机 PLC |
| 控制器配套 | MGCS‑11、MG‑mini485、MS‑VP | MGCS‑11(半导体产线主流) |
GAR 伺服阀搭配MGCS‑11 压力控制器 + 电容薄膜规组成 PID 闭环系统,动态补偿进气、泵抽波动,稳定腔体工艺压力;断电抱闸锁阀,避免真空失稳造成整片晶圆报废。
适用:ICP、CCP 刻蚀机,8/12 寸晶圆制程。
PVD:控制溅射腔背压,保障金属 / 介质薄膜厚度均匀性,降低膜层缺陷。
CVD/ALD:多层薄膜循环工艺,多组 PID 参数存储,不同工序自动切换阀门开度,适配周期性沉积工艺;Kalrez 密封抵御反应腐蚀气体。
量产产线选用 GAR 系列;研发样机选用 BAR 系列。
大口径 GAR 管控炉管真空度;小口径 BAR 用于晶圆光学检测真空腔体,动作低震动,不干扰光学成像。
MGCS‑11(主力):触摸屏,7 组 PID 参数存储,自动 PID 整定,RS485,接收真空规信号,自动驱动 GAR/BAR 阀门做闭环稳压;半导体产线常用。
MG‑mini485:小型嵌入式控制器,设备内部集成,无面板。
MS‑VP:开度驱动模块,接收 PLC 模拟量信号,只做阀位定位,压力闭环由上位机实现。
整套架构:真空规采集腔体压力 → MGCS‑11 运算 → 输出信号驱动 GAR/BAR 伺服阀调整开度,动态维持工艺设定压力。
| 使用场景 | 推荐系列 | 典型型号 |
|---|---|---|
| 8/12 寸晶圆量产刻蚀、PVD、CVD、ALD,对颗粒、断电保护高要求 | GAR 系列(闸板式) | GAR‑J200B、GAR‑J250B |
| 半导体研发样机、中试线、等离子清洗、小型 PVD、检测腔体,成本优先 | BAR 系列(蝶板式) | BAR‑J150、BAR‑J200‑B |
现货:BAR 系列流通型号部分原装现货;GAR 半导体量产型号多为日本原厂订货;
交付资料:可提供原厂检测报告、氦检报告、说明书、CE 证书;可提供 Kalrez 耐腐蚀密封定制;
成套方案:阀门 + MGCS‑11 控制器整套供货,提供 PID 调试技术支持;
提示:半导体产线务必确认带‑B 电磁抱闸版本,规避断电工艺事故;市场存在翻新阀,采购核对本体铭牌与原厂资料。